方法的优缺点比较
各种方法都有其有缺点：从大的方面讲，直接PECVD法对样品表面有损伤，会增加表面少子的复合，但是也正是由于其对表面的轰击作用，可以去除表面的一些自然氧化层，使得表面的杂质原子得到抑制，另外直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分。
使用不同频率的PECVD系统，也各有一定的优缺点：
（1）频率越高均匀面积越小，越难于达到大面积均匀性。
（2）频率越低对硅片表面的损伤越严重。
（3）频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。
烟道气中氧含量过高应怎样处理？
答：烟道气中氧含量过高是由于炉体堵漏不好，造成外界空气进入炉膛内部，风门开得过大以及烟道挡板开度偏大，炉膛负压值高，使大量空气进入炉内造成烟气中氧含量过高，过剩空气系数α增大而造成炉子的热效率降低。应加强炉体的堵漏，及时调节好风门、汽门、油门和档板（俗称三门一板），控制合理的过剩空气系数，要控制合理的过剩空气系数还必须建立定期的烟气采样分析制度，对数据要认真分析。
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，bao括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。