Hakuto
伯东公司日本原装设计制造 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, 伯东公司已累计交付约 500套离子刻蚀机.
伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!
离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100
主要型号
伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机以及全自动蚀刻机.
配置美国 和德国 .
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型号
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4 IBE
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16 IBE
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样品数量尺寸
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4”φ, 1片
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4”φ, 1片
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6”φ, 1片
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4”φ, 6片
6”φ, 4片
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3”φ-6”φ,1片
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离子束入射角度
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0～± 90
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0～± 90
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0～± 90
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0～± 90
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-
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考夫曼离子源
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KDC 40
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KDC 75
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KDC 160
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考夫曼型
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-
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极限真空度 Pa
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≦1x10-4
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≦1x10-4
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≦1x10-4
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≦1x10-4
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≦8x10-5
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Pfeiffer 分子泵抽速 l/s
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350
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350
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1250
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1250
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-
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均匀性
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≤±5%
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≤±5%
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≤±5%
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≤±5%
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≤±5%
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离子蚀刻机特性:
1. 采用美国 KRI 考夫曼型离子源, 保障蚀刻速率和均匀性
2. 干式制程, 物理蚀刻的特性
3. 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
4. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面.
通 Ar 时, 对各种材料的刻蚀速率
NS 离子刻蚀机 20IBE-J 视频
离子刻蚀机 3-4inch 20IBE 视频
离子蚀刻机应用
薄膜磁头 Thin film Magnetic Head, 自旋电子学 Spintronics, MR Sencer
微电子机械系统 MEMS Micro-electromechanical Systems
射频设备 RF Devices, 光学组件 Optical Component, 超导电性 Super Conductivity
Hakuto 日本原装设计制造 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 和美国 !
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上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
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